电磁压力传感器
压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。
在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。
压力传感器的特点
溅射薄膜压力传感器：突出特点是受温度影响小，在温度变化100℃时，零点漂移仅为0.5%，其温度性能远优于扩散硅，能够在恶劣环境条件下使用等特点。
应变式压力传感器：应用为广泛的是应变式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高、横向效应小等优点。
陶瓷压阻压力传感器：具有测量的高精度、高稳定性。电器绝缘程度大于2KV，输出信号强，长期稳定性好。，微量程和大量程不做选择，只适用于表压测量。
高温大压力传感器研究现状
一般地，当压力范围在10～100 MPa之间时，称之为大压力，大于100 MPa的压力为超大压力。高温压力传感器是指在高于125℃环境下能正常工作的压力传感器[1]。
近年来，随着MEMS技术的发展，微机械压力传感器由于其具有体积小、功耗低、成本低等优势，而得到了广泛的应用[1,2]。然而，该类传感器在超过120℃环境下使用时，会由于内部PN结出现漏电而导致传感器性能急剧下降，进而导致失效[3,4,5,6]。因此，如何把MEMS技术的优势和现有的技术相结合，通过改进工艺、选择新型的耐高温材料，进而克服MEMS传感器的上述缺点，成为目前国内外研究的重中之重。该研究目前也取得了巨大进展，多种类型材料组合形成的新型敏感元件纷纷问世。
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